A novel characterization tool for the study of dielectric breakdown of ultra-thin oxide MOS structures

G. Basso, F. Crupi, B. Neri, R. Giannetti, S. Lombardo

16th IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference - IMTC 1999, Venecia (Italia). 24-26 mayo 1999

Palabras clave: Dielectric breakdown, Electric breakdown, Voltage, Fluctuations, Instruments, Stress, Low-frequency noise, Noise measurement, Microcomputers, Testing

DOI: https://doi.org/10.1109/IMTC.1999.776154

Fecha de publicación: 1999-05-24.

Cita:
G. Basso, F. Crupi, B. Neri, R. Giannetti, S. Lombardo, A novel characterization tool for the study of dielectric breakdown of ultra-thin oxide MOS structures, 16th IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference - IMTC 1999, Venecia (Italia). 24-26 mayo 1999.

 Solicitar el artículo completo a los autores

Debido a las restricciones de copyright existentes, no se puede distribuir este material vía web. Sin embargo, mediante este formulario puede contactar con los autores. Ellos podrán distribuir un número limitado de copias del mismo por correo electrónico. Por favor, comprueba tu carpeta de correo no deseado.

Nombre:
Email:
Empresa/Institución:
Código:
Acepto la Política de Privacidad	Sí.